基于氧化锌外延透明电极结构的新型高效大功率LED芯片技术、MOCVD装备及其产业化

2020年04月18日 科技成果发布与展示

研发人:王钢

电子与信息工程学院

本技术成果开发了ZnO基TOS薄膜材料的MOCVD外延生长和核心装备制造技术,解决了具有ZnO透明电极的LED芯片其工作电压过高的世界性工艺技术难题,并形成了完整的专利布局,突破了现有LED芯片中传统NiAu和ITO技术的专利壁垒,在世界上率先实现了具有ZnO透明电极结构的新型高效大功率LED芯片的中试生产,预期产生的经济效益逾20亿元。

国内首台专用于大规模高质量ZnO半导体薄膜材料生长的38片量产型MOCVD设备。


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