研发人：崔国峰
化学学院
近年来电子产业蓬勃发展，各种高功率的电子元件层出不穷，线路板上元件的密度也越来越大。这使得在能耗增加的同时，产生的热量也大大增加。若不能及时将热量转移，会对元件的性能产生影响。而氧化铝和氮化铝的热导率较高，且整个基板中不包含任何有机物，其传热系数远高于传统的环氧树脂和陶瓷基板，散热效果好。但由于绝缘层与导电层的热应力不匹配，在温度较高的情况下，绝缘层会因应力作用而开裂，使得绝缘性大大降低。
一般的解决方法是在基材与绝缘层之间加入缓冲层，但一般缓冲层的热导率较低，严重影响基板的高导热性能。
本成果的技术方案为：首先在合金缓冲层一面形成一层铝以形成铝基板和缓冲层的连接层；接着通过物理气相沉积或热浸镀，在缓冲层另一面上覆盖一层铝；然后采用阳极氧化法或微弧氧化，将上步中的铝层转化成氧化铝绝缘层；再采用物理气相沉积，在绝缘层表面形成一级导电层；最后采用电化学沉积法，在一级导电层表面形成二级导电层。
采用金属一体化散热封装可实现LED和驱动IC集中散热处理，伴生的热量由芯片传导至散热器。本高导热基板可用于大功率LED、电动汽车基板、大功率UPS电源、大功率逆变器。
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