氮化硅基光子集成技术及关键器件

2019年10月09日 科技成果发布与展示

研发人:余思远

电子与信息工程学院

项目采用了中山大学自主研发的低损耗低应力超低温氮化硅材料平台,研制了一系列光子集成的关键器件,氮化硅具有适当的折射率反差,作为光子集成器件,可以大大减小目前广泛使用的二氧化硅光子集成器件的尺寸;与硅基集成光子器件相比,具备相对大的微加工容差,因此,可望更快推进实用化进程。可应用在光子集成、光通信元器件方向。


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